BST9900-DR  单晶硅微差压变送器

•   1、单晶硅微差压变送器中心传感器采用全球领先的、进口的复合多重微硅固态传感器，较之传统的金属电容压力/差压变送器精度、稳定性、抗干扰能力有大幅度的提高，最高可达0.1级的铂金级精度；
  2、OLED点阵显示器、视角广、画质均匀、工作温度宽﹣40℃～﹢80℃；
  3、单晶硅微差压变送器工作压力分为16MPa、25MPa和40MPa三档，单向过载压力最高到40MPa；
  4、差压变送器可选封装静压传感器，可用于现场工作静压的测量和显示，也可应用于静压补偿，静压性能极佳，静压误差最优≤±0.05%FS/10MPa；
  5、单晶硅微差压变送器采用全球领先的无传压损耗过载保护技术，单向过压最高达7MPa，即满量程的1166倍；
  6、传感器内部集成高灵敏度温度传感器，变送器温性能极佳，最优≤±0.04%FS/10kPa；
  7、全不锈钢316L硅油充灌焊接密封结构；
  8、稳定可靠，长期漂移为±0.1%FS/3年，10年免维护；
  9、最高100：1的可调节量程比。
  
• BST9900-DRpara1
•   1、单晶硅微差压变送器中心传感器采用全球领先的、进口的复合多重微硅固态传感器，较之传统的金属电容压力/差压变送器精度、稳定性、抗干扰能力有大幅度的提高，最高可达0.1级的铂金级精度；
  2、OLED点阵显示器、视角广、画质均匀、工作温度宽﹣40℃～﹢80℃；
  3、单晶硅微差压变送器工作压力分为16MPa、25MPa和40MPa三档，单向过载压力最高到40MPa；
  4、差压变送器可选封装静压传感器，可用于现场工作静压的测量和显示，也可应用于静压补偿，静压性能极佳，静压误差最优≤±0.05%FS/10MPa；
  5、单晶硅微差压变送器采用全球领先的无传压损耗过载保护技术，单向过压最高达7MPa，即满量程的1166倍；
  6、传感器内部集成高灵敏度温度传感器，变送器温性能极佳，最优≤±0.04%FS/10kPa；
  7、全不锈钢316L硅油充灌焊接密封结构；
  8、稳定可靠，长期漂移为±0.1%FS/3年，10年免维护；
  9、最高100：1的可调节量程比。
  para120
• BST9900系列单晶硅微差压变送器的基本原理是、将一个空间用敏感元件（多用膜盒）分割成两个腔室，分别向两个腔室引入压力时，传感器在两方压力共同作用下产生位移（或位移的趋势），这个位移量和两个腔室压力差（差压）成正比，将这种位移转换成可以反映差压大小的标准信号输出 。para3